2 天之前  近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问

2022年12月15日  除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等厂商向上突围的共同选择。 今

2023年9月27日  SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表

2022年12月1日  目前，常用的碳化硅离子注入后激活退火工艺在1600℃~1700℃的Ar氛围中进行，以使SiC表面再结晶并激活掺杂剂，提高掺杂区域的导电特性。 在退火之前，可

13 小时之前  在碳化硅衬底材料抛光方面，市场主流产品为6英寸，目前国内多家企业发布8寸碳化硅，有小批量出货，国外小批量量产8寸碳化硅。 他认为，8寸SiC衬底双面路线

2023年2月26日  高可靠性几大优势，契合三代半导体封装需求，纳米银烧结设备成为碳化硅封装 固化工艺的最核心设备，截至2022 年未实现国产化。根据我们测算，预计2025 年

2022年8月24日  碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等

2020年4月1日  碳化硅生产工艺及用途百度经验 海旭磨料 688人看过 碳化硅又称为金刚砂，主要是通过石英砂、石油焦、木屑等原料经过高温加工冶炼而成。 通常

2020年6月10日  碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO

1 天前  新设全资子公司连科半导体与清华大学合作，发展半导体相关业务，规划建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地。2024年5月上线“新一代8英寸碳化硅长晶炉”。 图 PVTMF50型碳化硅感应式长晶炉 长晶工艺：PVT 法、液

2023年2月15日  化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应

2024年4月18日  三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。

2023年12月8日  在SiC制造领域，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD以及栅氧制备设备是SiC领域的三大核心设备。 在团队全力攻关下，衍梓装备成功推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设备。 碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行起着至关

2024年2月26日  碳化硅籽晶粘接技术是一种利用碳化硅 particles 在高温下熔融对SiC进行粘接的技术。 1、在加热设备中，将SiC的粘接部件置于籽晶粘接剂的上方，籽晶粘接剂处于高温状态下。 2、碳化硅 particles 被逐渐加入籽晶粘接剂的上部，同时粘接部件被置于其中。

1 天前  本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨

2024年6月6日  某大型机械设备公司CVD碳化硅工艺工程师招聘，薪资：4070K，地点：北京，要求：35年，学历：硕士，福利：五险一金、定期体检、加班补助、带薪年假、员工旅游、餐补、节日福利、零食下午茶、团建聚餐、包吃，猎头顾问刚刚在线，随时随地直接开聊。

2023年11月16日  碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。

2023年2月27日  碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。 根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其

碳化硅的制造工艺涉及多个步骤，并需要专门的设备。 制造碳化硅粉末是制造过程的第一步。可以通过多种方法进行，例如阿切森法，该方法涉及在电炉中加热硅砂和碳的混合物。硅和碳之间的反应产生碳化硅粉末。 一旦获得碳化硅粉末，可以进一步加工以产生

2024年4月11日  SiC关键工艺“大考”——离子注入 在半导体工艺中，通常的掺杂控制方法为 高温扩散 和 离子注入 。 相比而言： 高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，引入的晶格损伤低； 离子注入工艺复杂，设备昂贵，但是离子注入的温度条件相对扩散

2024年4月3日  在国内市场，目前产业界正处于碳化硅深刻蚀实现技术突破和量产的关键阶段，更需要本土的设备厂商提供更多特色工艺的支持，共同实现半导体技术上的“弯道超车”。 「中锃半导体」创始人兼CEO谭志明介绍，“公司团队在技术和经验上非常全面，涵盖设备

2021年7月21日  碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和

2023年6月30日  此外，凭借良好的工艺性能和市场化业绩，产品于2022年荣获中国集成电路创新联盟第五届“IC创新奖”。 面向投资火爆的碳化硅领域，北方华创凭借深厚的技术积累，快速开发了碳化硅外延产品，目前产品已实现近200台的销售，占据市场半壁江山。

2 天之前  4月 23, 2024 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题，还大大提升了产率。 来源：南京大学官网 SiC不仅是关系国防安全的的重要

2023年8月8日  碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。

2023年12月22日  碳化硅长晶炉作为衬底生长的核心工艺设备，对行业的发展起到决定性作用。考虑到与工艺的契合性，衬底厂商一般不轻易改变长晶炉的购买渠道，其他企业想要插入进来并不容易，不过如今碳化硅产业疯狂扩产或有新的机遇。

摘要： 碳化硅外延技术是采用化学气相沉积设备在N型4HSiC衬底上进行同质外延生长,而外延生长设备所具有的温度场和气流场的状态决定了外延生长的成膜质量文章以水平热壁技术路线为例,通过对反应腔室的温度场和气流场进行研究,获得最优的反应腔室结构;并通过对外延工艺的研究,获得优异的

2023年5月13日  由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注

2023年7月14日  与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。 碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和

碳化硅冷凝器11设备工艺原理3抗氧化性能强，能够在高温环境下抵抗氧化反应的影响，从而延长使用寿命。4 维修简单，可重复使用，降低了设备故障率和维修成本。碳化硅冷凝器被广泛应用于金属热处理、高温炉拱顶和包覆板等领域。其具有优异的耐

苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司自2014年开始研发电阻法碳化硅生长设备及工艺，历经5年，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型

2023年11月30日  虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化

2021年8月18日  ZHANG等利用自制的3D打印设备采用自由挤出成型技术进行了复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的探索，高固含量的浆料有利于成型，可减少浆料干燥时开裂的可能性并提高烧结后陶瓷的强度，但会增加挤出难度。目前，3D打

2024年4月3日  开发碳化硅材料深刻蚀工艺，「中锃半导体」完成数千万元天使轮融资丨36氪首发 碳化硅功率器件已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等

Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行

3、碳化硅衬底工艺 碳化硅衬底行业属于技术密集型行业，是材料、热动力学、半导体物理、化学 ①碳化硅单晶生长设备 设计与制造技术。碳化硅长晶炉是晶体制备的载体，也是晶体生长核心技术中的热场和工艺的重要组成部分。针对不同尺寸、不同

发布日期: 下午 2:45:35。职位来源于智联招聘。岗位职责：1、碳化硅长晶工艺研发。8吋。任职资格：1、硕士及以上学历；2、材料、物理、化学等专业，熟悉碳化硅晶体生长。做过8吋。优秀人才资深人才，薪资、级别可面议。职位福利：五险一在领英上查看该职位及相

二、烧结设备供应商 1 Boschman Boschman 提供两种银烧结解决方案：对于研发、原型制作和小批量生产，提供半自动 Sinterstar Innovate 系列。 而对于高效、高质量的中到大批量生产，Sinterstar Auto 和 Inline 系列是最佳选择。 Sinterstar Innovate 系列 这是最通用的半

2022年8月24日  碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料； 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法

碳化硅芯片的五大关键工艺步骤 13:12 芯片是如何制造的？ 碳化硅芯片与传统硅基芯片有什么区别？ 碳化硅，又叫宽禁带半导体，第三代半导体 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在

2023年11月12日  虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化

2023年8月10日  德龙激光：公司开发的碳化硅晶锭激光切片技术已完成工艺研发和测试验证，并取得头部客户批量订单 德龙激光 ()08月10日在投资者关系平台上答复了投资者关心的问题。 董秘您好！ 请问贵司是否有光模块相关设备？ 对应的下游客户有哪些？

物理气相传输（PVT) 物理气相传输法是通过物理升华现象在籽晶上生长晶体的方法，该方法是由Lely法改进而来。 如今，PVT工艺被认为是碳化硅单晶生长的标准方法。 凭借出色的性能，使用 PVT 工艺生产的晶体主要用于半导体行业（半导体材料）和微电子行业等

2024年3月12日  苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH

2023年2月26日  设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使 用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。