2 天之前  摘要 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究

2024年3月7日  精密磨削技术解决方案 碳化硅是一种典型的脆性材料，其晶圆制造过程中容易产生表面损伤和暗裂等缺陷。为了确保晶圆的质量和性能，制造环节涉及到多种精密

2 天之前  本文综述了SiC陶瓷先 进磨削技术的最新研究进展，介绍了高速磨削（HSG）、超声振动辅助磨削（UVAG）、激光辅助磨削（LAG）和电解在线修整磨削（ELIDG）等

2024年4月17日  碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究

3 天之前  日本DISCO公司研发出了一种称为关键无定形黑色重复吸收(key amorphousblack repetitive absorption,KABRA)的激光切割技术，以加工直径6英寸、厚度20mm的碳化硅晶

碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛应

2024年2月27日  碳化硅 (SiC) 粘结金刚石材料包含约 50% 体积的金刚石，代表了具有卓越机械和热性能的创新复合材料，包括高硬度、耐磨性和耐腐蚀性以及较高的导热性。 尽

作者： 吴重军 摘要： 高速加工是20世纪70年代在欧洲和美国兴起的一种加工技术,它可以根据加工对象的不同,在高材料去除率,极好的加工经济效益下很好地满足产品的质量要求

围绕碳化硅菲涅尔微结构这种典型硬脆复杂零件的高效高精度加工目标,本文开展了碳化硅的激光加工机理,菲涅尔微结构的激光成型工艺,菲涅尔微结构磨削波纹度等方面的理论和实

2022年4月10日  通过单颗磨粒磨削 SiC 陶瓷试验，分析了磨削速度对 SiC 陶瓷磨削表面形貌、磨削亚表面裂纹损伤深度、 磨削力和磨削比能的影响规律。

磨削碳化硅生产技术 产品简介： 磨削碳化硅生产技术 发布时间： 更新 有效时间： 长期有效 在线咨询： 点此询价(厂家7/24在线) 磨削加工 2017年9月2日碳化硅类磨料硬度更高、更锋利、导热性好,但较脆,适合磨削铸铁和硬质合金。 接触面大

磨削碳化硅生产技术 发布日期： 02:02:28 导读:LM 机器是一家生产矿山机械的大型企业，热销设备包括：颚破、反击破、圆锥破、移动破碎机、制砂机、雷蒙磨、超细立磨等，满足众多领域的使用需求，如果您想了解设备详细型号报价，请

2018年10月12日  本文采用金刚石砂轮对 碳化硅陶瓷 进行端面磨削正交试验研究，试验参数选用低进给速度和大磨削深度，探究了不同磨削参数对磨削力和磨削面质量的影响规律，分析了磨削表面的损伤形式，进一步验证

碳化硅磨块 国内生产品种齐全、规模的金刚石工具制造商 首页 碳化硅磨块 磨、细磨直到抛光,是硬脆材料抛光领域应用历史长,应用技术成熟的磨削、 RBSiC超声辅助磨削及剩余强度研究《大连理工大学》2016年硕士论文

摘要： 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛应用,但由于脆性大而在精密及超精密加工中难以达到良好的精度及表面质量,同时生产效率低,生产成本过高,而金刚石超精密磨削加工技术的发展使碳化硅陶瓷及

2016年5月3日 表1．1碳化硅陶瓷的主要用途 碳化硅陶瓷是从20世纪60年代开始发展起来的，之碳化硅主要用于机械 第1章绪论 磨削材料和耐火材料【8】。 世界各国对先进陶瓷的产业化十分重视，现在已经不仅 仅满足于制备传统碳化硅陶瓷，生产高技术陶瓷的企业发展更快，尤其是在发达 国家。

2020年5月20日  碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎 由于碳化硅材料属于高硬脆性材料，需要采用专用的研磨液，碳化硅研磨的主要技术难点在于高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制，磨削后晶圆表面出现损伤、微裂纹和残余应力，碳化硅晶圆减薄后会产生比碳化硅晶圆更大的翘曲现象。

摘要： 高速加工是20世纪70年代在欧洲和美国兴起的一种加工技术,它可以根据加工对象的不同,在高材料去除率,极好的加工经济效益下很好地满足产品的质量要求高速磨削技术在突破难加工材料的技术瓶颈方面具有特别重要的意义然而,在高速磨削中,由于高的砂轮速度会对工件材料产生极高的冲击

2013年2月20日  绿碳化硅 砂轮生产工艺 绿碳化硅制造方法同黑色碳化硅，但采用的原材料纯度要求较高，也在电阻炉中2200°C左右的高温下形成，绿色，呈半透明状，六方晶形，其Sic含量较黑色为高，物理性能与黑色碳化硅相近，但性能略较黑色为脆，也具有较好的导热

围绕碳化硅菲涅尔微结构这种典型硬脆复杂零件的高效高精度加工目标,本文开展了碳化硅的激光加工机理,菲涅尔微结构的激光成型工艺,菲涅尔微结构磨削波纹度等方面的理论和实验研究本论文主要包含以下几个方面: (1)通过激光烧蚀环槽实验分析了红外亚纳秒

2021年12月16日  碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅 碳化硅（SiC）衬底，未来大哥是谁！

碳化硅晶锭切割技术是生产高质量SiC晶体的关键环节之一，本文将就碳化硅晶锭切割技术进行详细探讨。 碳化硅晶锭切割技术主要包括下料、切割和抛光等步骤。 首先是下料，即将碳化硅晶块切割成形状适宜的晶锭块。 一般来说，晶块需要经过打磨、清洗等

2010年7月13日  CBN磨削技术的应用，使传统凸轮轴磨削过程中的难题迎刃而解。十几年前，有关使用CBN砂轮磨削凸轮轴的报导只在有限的国外文献中见到。在大规模工业化生产中，使用CBN专用数控凸轮轴磨床磨削凸轮轴的技术在某些西方发达国家也刚刚进入实用阶段。

3 天之前  碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙度、尺寸、耗损度及生产成本等。 在碳化硅器件成本中，衬底占比47%左右，是价值量最高的原材料。

2021年12月16日  碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅 碳化硅（SiC）衬底，未来大哥是谁！

2017年12月4日  3 砂带磨削技术 应用 砂带磨削由于其区别于砂轮独特的柔性磨削方式，应用的广泛性是其他加工方法所不能比拟的，可应用于各工业生产领域当中。其不仅可以加工砂轮可加工的有色金属材料，对于木材，石材，塑料，皮革等非金属材料的加工也

2024年3月4日  碳化硅陶瓷工件是优异工程材料，广泛应用于多领域。其生产过程包括原料制备、成型、烧结、精加工等环节，需采用精密加工技术和设备。陶瓷雕铣机在碳化硅陶瓷工件生产中起关键作用，具有高精度、高效加工、灵活加工工艺和稳定加工质量等特点，能有效提高工件精度和加工效率，降低生产

2014年12月29日  传统的碳化硅 制粒工艺是采用：粗碎—→中碎—→分段（筛）—→磁选—→筛分—→酸洗—→水洗—→烘干。 这种工艺主要的问题是废酸和粉尘对环境污染严重，劳动条件差，生产成本高，磨料的清洁度低（特别是180＃以细），生产工序间不能连续进

2023年4月17日  碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智 能电网、新能源汽车、光伏风

2023年12月11日  一、碳化硅概述 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，被广泛认为是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 碳化硅原材料核心优势体现在： 1 耐高压特性： 碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更宽的禁带宽度，使其能够承受更大的电流和电压，同时实现更小

6 天之前  2025年德国磨削技术展览GrindTec 磨料及复合材料 机床（切削、拆卸、成型） 零部件/粘合、连接和组装 展会时间：2025年 3月 11日 2025年 3月 14日 举办周期：两年一届 展会地点：德国 Leipziger Messe GmbH, MesseAllee 1, 04356 Leipzig 展会介绍

2020年12月2日  碳化硅生长炉的技术指标和工艺过程中的籽晶制备、生长压力控制、温度场分布控制等因素，决定了单晶质量和主要成本。 PVT法生长的SiCk单晶一般是短圆柱状，柱状高度(或长度)在20 mm以内，需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺，才能成为器件制造前的衬底材料。

2012年6月8日  摘要：本文探讨了国内外 砂带 磨削技术的发展与应用，介绍了国外堆积磨料砂带、多层磨粒砂带、空心球磨料砂带、第三涂层和特殊涂层砂带、 无纺布 砂带和金刚石与CBN磨料砂带等新型砂带技术，指出目前国内外 砂带磨削技术 向自动化、数控化和智能化

碳化硅 砂轮 是一种带有中心通孔的粘结磨具。 其主要成分是碳化硅。作为使用最广泛、适用范围最广的磨料产品，碳化硅砂轮可用于不同工件表面的磨削、抛光和修整。由于具有高硬度、耐磨性和耐热性，碳化硅砂轮被广泛应用于金属加工、陶瓷加工、石材加工和玻璃加工等各

2016年10月18日  破坏性检测方法目前主要包括截面显微观测法、角度抛光法、磁流变抛光斑点技术等。非破坏性检测方法包括全内反射强度检测技术、激光散射法和X射线衍射法等方法。与破坏性检测方法相比，非破坏性检测方法测量结果不够直观，更适合用于生产中的质量

2023年10月27日  碳化硅器件的生产流程，碳化硅有哪些优劣势？中游器件制造环节，不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。当然碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。

2022年10月28日  SiC衬底不止贵，生产工艺还复杂，与硅相比，SiC很难处理。 SiC单晶衬底加工过程包括单晶多线切割、研磨、抛光、清洗最终得到满足外延生长的衬底片。 SiC是世界上硬度排名第三的物质，不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工

2011年7月5日  以下分几个方面介绍碳化硅的主要用途。 一． 磨料 目前我国工业碳化硅仅以磨料用途为主。 其中绿碳化硅具有较高的硬度和一定的韧性，多用于磨加工光学玻璃，硬质合金，钛合金以及轴承钢的研磨 抛光 ，高速钢刀具的刃磨等；黑碳化硅多用于切割和研磨

磨削碳化硅生产技术 碳化硅适合磨削铸铁或非金属材料碳化硅生产厂家年月日只有经过大量实验发展,我们才能总结出更为精确的实验理论,尤其是早磨削生产过程中,碳化硅的应用一直得到大家的关注。不能把磨削看成单纯的机械过程

2022年10月9日  针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 1、背景与意义 作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异

2024年1月31日  随着技术的不断进步，碳化硅在新能源汽车、5G通信技术等领域的应用也日益增多，预示着其在未来科技发展中将扮演更加重要的角色。 同时，随着环保意识的提高，低碳、环保的材料日渐受到重视，碳化硅作为一种高效、环保的新材料，其市场前景无疑是

2023年4月26日  生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅 半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型 的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学 气相沉积法（HTCVD)和以顶部籽晶溶液生长法(TSSG)为主流的高温溶 液生长法（HTSG）。

2 天之前  在这里，科研人员披星戴月、马不停蹄，国内率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系。 长期以来，半导体产业关键核心技术缺失，成为阻碍我国产业链向高端攀升的“绊脚石”。 回顾历史，2021年3月

Runsom Precision 的定制陶瓷 CNC 加工服务 瑞盛精密科技有限公司 作为值得信赖的制造实体，在多种材料（尤其是陶瓷）的 CNC 加工方面拥有丰富的经验。 我们致力于采用最先进的 CNC 加工方法，保证陶瓷和其他高级材料制造过程中的卓越精度、准确度和生产率

2019年11月28日  该项目开发了2种大尺寸硅片超精密磨床、1种大尺寸硅片加工变形测量设备、系列化砂轮和磨削工艺，所开发的磨床、砂轮和磨削工艺的技术指标和加工效果达到国外同类先进产品的水平，满足规模化生产要求 二、应用范围： 本项目开发的硅片超精密磨床

1 天前  三种碳化硅外延生长炉的差异 热壁水平卧式CVD、温壁行星式CVD以及准热壁立式CVD是现阶段已实现商业应用的主流外延设备技术方案，三种技术设备也有各自的特点，可以根据需求进行选择，其结构示意如下图所示： 热壁水平式CVD系统，一般为气浮驱动旋转的